比亚迪电动汽车续航高能耗低的秘密
发布时间：
2019-03-16
来源：
12月10日，比亚迪在宁波发布了在车规级领域具有标杆性意义的车用功率半导体——IGBT4.0技术，再一次展示出其在电动车领域的领先地位。
比亚迪IGBT4.0晶圆
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)全称“绝缘栅双极型晶体管”，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的“双芯”，是影响电动车性能的关键技术，其成本占整车成本的5%左右。对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。得益于在IGBT等核心技术领域的强大实力，比亚迪电动车的超高续航和较低能耗才得以实现。
作为中国第一家实现车规级IGBT大规模量产、也是唯一一家拥有IGBT完整产业链的车企，此次发布会上，比亚迪还释放了另一重磅消息：比亚迪已投入巨资布局性能更加优异的第三代半导体材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭载SiC电控的电动车。预计到2023年，比亚迪旗下的电动车将全面搭载SiC电控。
虽然在未来较长一段时间内，IGBT仍将供不应求。但比亚迪也已预见到，随着电动车性能不断地提升，对功率半导体组件提出了更高的要求，当下的IGBT也将逼近硅材料的性能极限。寻求更低芯片损耗、更强电流输出能力、更耐高温的全新半导体材料，已成为学界和业界的普遍共识。
据悉，比亚迪已投入巨资布局第三代半导体材料SiC，并将整合材料（高纯碳化硅粉）、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体全产业链，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在电动车领域的应用。
目前，市场上唯一使用了SiC碳化硅功率半导体元器件的电动车型是特斯拉的Model3，其使用了来自意法半导体提供了650VSiCmosfet。相比ModelS/X上的传统IGBT，SiCmosfet能带来5-8%的效率提升，对续航能力的提升和降低能耗表现方面作用非常显著。除此以外，SiCmosfet还有一个巨大的优势在于高温表现，其在200℃以内都可以维持一个正常效率表现，为电动汽车的高性能发展方向提供了可能。
在意法之后，德国英飞凌也已经开始了SiC功率半导体的供应，合作伙伴同为特斯拉，也就是说，目前全球市场上的几乎所有SiC功率半导体都被特斯拉采购一空。如果比亚迪在2019年成功推出车规级的SiC功率半导体，并将之应用于旗下高性能车型上，比亚迪无疑将会确立其国内新能源市场一哥的地位，并且在性能和续航水平上真正的直逼特斯拉，与国内其他企业拉开差距。
2018年，公司产品“立方碳化硅微粉”经省工信厅会同省财政厅组织的专家组进行评审，被确定为“国内重点新材料首批次应用产品”，这无疑是对产品、对公司的充分肯定！公司研发团队历经三十年的摸爬滚打，始终如一、精益求精，才有了今天的光辉。2017年底公司分别通过了“西安市高新技术企业”认定与“国家高新技术企业”的认定，2018年公司董事长、团队带头人王晓刚教授分别荣获“西安创业英雄”、“西安市十大创业杰出人物”等奖项。生产的立方碳化硅微粉纯度高、粒度分布窄、堆积密度大、烧结活性高、晶体结构规整，公司开创了大批量制造纳米碳化硅的先河。
微粉,碳化硅
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