3C-SiC导热吸波粉具有晶型完整、导热系数高，吸波性能好，电子迁移率、击穿电场强度、相对介电常数等电学性能各向同性等特点。3C- SiC纯度：SiC≥99%。堆积密度：1.3～2.0g/cm³。 产品规格：0.5μm～40μm，可根据用户需求定制。

纳米SiC导热吸波粉采用公司自主专利技术生产的β-SiC新型微粉和碳化硅磨介磨制而成，具有纳米粒度分布窄、纯度高、堆积密度高、绝缘性能好等优点。经过表面改性和造粒制成的纳米SiC造粒粉，具有密度大、球度一致性好、填充性能好、导热系数高等优点。造粒粉粒度范围为10μm～120μm，可根据用户需求定制；流动性指数可达94，休止角达20º。
产品规格：30μm～100μm，可根据用户需求定制。

主要技术指标:晶须直径：0.1～1.00µm ;晶须长度：10～100µm;晶须长径比：>10;晶须形貌：光滑直晶，含少量网状晶须;晶须中SiC含量：>99.9%。

由高纯度(99.99%~99.9999%)、精细(0~0.1μm)微粉和粒度为50~800μm的单晶β-SiC做母源，经气相沉积法可制造各种单晶碳化硅，其优异的导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀性使其在军工、航天、航空、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅，成为当前高科技领域公认的第三代半导体材料和LED等应用的电子封装、基板材料。

采用本公司自主专利技术( 发明专利号: ZL201810484039.3 )生产的β-SiC新型微粉和高密度α-SiC微粉的复合粉体，其产品粒度细，分布窄，纯度高，堆积密度高。产品规格有：20nm～30nm、40nm～50nm、60nm、70nm、80nm、100nm、110nm、120nm、150nm、0.3mm、0.5mm0.75mm、0.85mm、1.0mm。

经过表面改性和造粒而制造。该造粒粉密度大、球度一致性好、流动性好。产品规格为：粒度分布0～100mm，主要粒级为0～50mm;流动性指数可达94，休止角达20º;疏水处理后，粉体亲油化度值为0.55。

我司冲破国外对我国严格的技术封锁，自主发明的β-SiC新材料填补国内多项空白，开创了β-SiC新材料大批量工业化生产和多行业多领域应用之先河。我司依托西安科技大学、陕西省硅碳镁微纳米材料工程中心等平台资源，人才精干、设备精良、技术一流，真诚面对客户需求，提供超越客户期待的产品和服务，创造前所未有的价值。产品在磨料磨具、高技术陶瓷、半导体、复合材料、涂层涂料等众多领域得到市场高度认可，尤其是β-SiC超精油石在各种轴承的超精密加工方面具有不可替代的作用。

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以特殊结构的粘弹性高分子材料为载体，以具有金刚石结构的优质立方碳化硅为磨料并加入其它助剂经过化学反应而成，产品具有耐磨性好、使用寿命长、磨抛精度高、粒度均匀、粘弹性好、不粘磨工件不粘皮肤、不掉磨料等特点，特别适合不锈钢、玻璃、石材、铝材、铜材等材质的精磨抛光，加工粗糙度可达0.01微米。