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半导体制造用高纯超细立方SiC微粉

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半导体制造用高纯超细立方SiC微粉

由高纯度(99.99%~99.9999%)、精细(0~0.1μm)微粉和粒度为50~800μm的单晶β-SiC做母源,经气相沉积法可制造各种单晶碳化硅,其优异的导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀性使其在军工、航天、航空、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅,成为当前高科技领域公认的第三代半导体材料和LED等应用的电子封装、基板材料。
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  由高纯度(99.99%~99.9999%)、精细(0~0.1μm)微粉和粒度为50~800μm的单晶β-SiC做母源,经气相沉积法可制造各种单晶碳化硅,其优异的导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀性使其在军工、航天、航空、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅,成为当前高科技领域公认的第三代半导体材料和LED等应用的电子封装、基板材料。

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发布时间:2019-04-29 00:00:00
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