立方碳化硅粉体
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立方碳化硅，又名β-SiC或3C-SiC，属于立方晶系（等轴晶系），理论密度为3.21g/cm3，其莫氏硬度9.25-9.75。立方碳化硅具有优异的半导电、耐磨削、耐腐蚀、耐高温、耐热震、耐辐射，高热导率、低膨胀系数、低比重、良好的抗蠕变和抗断裂性能等优异性能。主要应用于半导体、高技术陶瓷、高级SiC制品、精密及超精密磨抛、复合材料、3D打印、涂层镀层、热喷涂、军工化工、航空航天、核工业等众多工业领域。
立方碳化硅（β-SiC）的物理性质
|
性质 |
物理常数 |
性质 |
物理常数 |
|
|
熔点，K |
2973℃（分解） |
蒸发活化能，KJ/mol |
244.5 |
|
|
摩尔热，J/（mol.Ｋ） |
24.7(276K) |
生成热，KJ/mol |
111.8 |
|
|
线膨胀系数（373K） |
6.58×10-6 |
线膨胀系数（1173K） |
2.98×10-6 |
|
|
热导率， w.m-1.k-1 |
28.03±2.00 |
燃烧热，KJ/mol |
30.343 |
|
|
分解温度(℃) |
2830±40 |
超导转变温度，K |
5 |
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|
介电常数（<300K） |
9.72 |
电阻率，Ω.m |
10-2～106 |
|
|
德拜温度 |
1430K |
能隙，ev |
2.60 |
|
|
受激能隙（4.2K/ev） |
2.39 |
磁化率(H) |
-12.8×10-6 |
|
|
密度g/cm3 |
3.216 |
硬度 |
(Mohs) |
9.25-9.75 |
|
晶体结构 |
立方体 (3C) |
(Vickers) |
2.500－2.900 |
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|
压缩系数 |
0.21×10-6 |
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β-SiC X射线衍射图谱
立方碳化硅粒度
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产品 |
D10/μm |
D50/μm |
D90/μm |
D97/μm |
振实密度g/cm3 |
|
BESC-0.3um |
0.08±0.02 |
0.37±0.05 |
0.72±0.1 |
≦0.9 |
0.70±0.1 |
|
BESC-0.5um |
0.08±0.02 |
0.5±0.05 |
0.95±0.15 |
≦1.5 |
0.80±0.1 |
|
BESC-1.5um |
0.6±0.2 |
1.5±0.2 |
3.0±0.5 |
≦4.8 |
0.85±0.05 |
|
BESC-2.5um |
1.5±0.3 |
2.5±0.3 |
3.9±0.5 |
≦5.1 |
1.25±0.05 |
|
BESC-3.5um |
1.94±0.3 |
3.5±0.2 |
5.8±0.5 |
≦7.0 |
1.45±0.05 |
|
BESC-5um |
2.8±0.4 |
4.5±0.5 |
7.15±0.45 |
≦8.5 |
1.63±0.05 |
|
BESC-7um |
4.1±0.15 |
6.5±0.3 |
10.3±0.8 |
≦11.2 |
1.64±0.05 |
|
BESC-10um |
6.6±0.5 |
9.7±0.8 |
15.0±2.0 |
≦18 |
1.70±0.05 |
|
BESC-14um |
8.35±0.35 |
13.0±1.2 |
18.4±2.6 |
≦23 |
1.72±0.05 |
|
BESC-20um |
11.5±0.2 |
20.0±0.2 |
30.5±0.22 |
≦35 |
1.75±0.05 |
|
BESC-28um |
15.0±0.2 |
24.0±0.2 |
35.0±0.25 |
≦49 |
1.76±0.05 |
|
BESC-40um |
23.0±0.2 |
35.0±0.2 |
55.0±0.22 |
≦68 |
1.80±0.05 |
|
BESC-65um |
40.5±2.0 |
67.0±2.0 |
104±2.5 |
≦120 |
1.85±0.05 |
|
BESC-75um |
45.0±2.5 |
70.0±3.0 |
110.0±2.5 |
≦130 |
1.92±0.05 |
|
BESC-85um |
50.0±2.5 |
85.0±2.5 |
138.0±2.5 |
≦165 |
1.96±0.05 |
|
BESC-100um |
68.0±3.0 |
103.0±3.0 |
145.0±3.0 |
≦180 |
1.99±0.05 |
|
BESC-120um |
76.5±3.0 |
118.0±3.0 |
180.0±3.0 |
≦190 |
1.95±0.05 |
|
注：粒度、纯度等要求接受客户定制 |
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