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立方SiC晶须

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立方SiC晶须

主要技术指标:晶须直径:0.1~1.00µm ;晶须长度:10~100µm;晶须长径比:>10;晶须形貌:光滑直晶,含少量网状晶须;晶须中SiC含量:>99.9%。
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立方SiC晶须
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产品描述

  主要技术指标:

  晶须直径:0.1~1.00µm ;

  晶须长度:10~100µm;

  晶须长径比:>10;

  晶须形貌:光滑直晶,含少量网状晶须;

  晶须中SiC含量:>99.9%。

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发布时间:2019-04-29 00:00:00
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