纳米SiC导热吸波粉具有纳米粒度分布窄、纯度高、堆积密度高、绝缘性能好等优点。经过表面改性和造粒制成的纳米SiC造粒粉，具有密度大、球度一致性好、填充性能好、导热系数高等优点。造粒粉粒度范围为10μm～120μm，可根据用户需求定制；流动性指数可达94，休止角达20º。<br/> 产品规格：30μm～100μm，可根据用户需求定制。

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立方SiC导热吸波粉

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纳米SiC导热吸波粉

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立方SiC导热吸波粉

SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性，是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中，SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位，SiC器件可在高温下长时间稳定工作，促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比。

三代半导体材料的热学性能对比表

特征参数	第三代		第二代		第一代
材料类型	SiC	GaN	GaAs	InP	Si
热导率/(W.m^-1·K^-1)	490	130	46	80	150
熔点/℃	2830	1700	1238	1070	1410
工作温度/℃	＞500	＞500	350	300	250

博尔公司凭借30年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备，快速进入热管理材料领域，并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品，特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用，使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体。