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3C-SiC导热吸波粉

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3C-SiC导热吸波粉

3C-SiC导热吸波粉具有晶型完整、导热系数高,吸波性能好,电子迁移率、击穿电场强度、相对介电常数等电学性能各向同性等特点。3C- SiC纯度:SiC≥99%。堆积密度:1.3~2.0g/cm3。 产品规格:0.5μm~40μm,可根据用户需求定制。
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产品描述

立方SiC导热吸波粉

       SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性,是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中,SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位,SiC器件可在高温下长时间稳定工作,促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比。

三代半导体材料的热学性能对比表

特征参数

第三代

第二代

第一代

材料类型

SiC

GaN

GaAs

InP

Si

热导率/(W.m-1·K-1)

490

130

46

80

150

熔点/

2830

1700

1238

1070

1410

工作温度/

500

500

350

300

250


   博尔公司凭借30年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备,快速进入热管理材料领域,并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品,特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用,使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体。

     

 

博尔立方碳化硅(BESC)导热吸波粉优势如下:

1棱角钝化,形貌规整,填充性能好、稳定性好、易于形成更多的导热通道。

2比表面积小,吸油值低、流动性好。

3粒度分布窄,颗粒集中度比国标至少提高10%以上。

4堆积密度高,最高可达2.2g/cm3

5纯度高,SiC纯度可达4N~5N6N

6吸波性能良好、介电性能可调。

7性价比高,可用于6-8W及以上的导热产品。

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发布时间:2019-04-29 00:00:00
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