3C-SiC导热吸波粉
3C-SiC导热吸波粉具有晶型完整、导热系数高，吸波性能好，电子迁移率、击穿电场强度、相对介电常数等电学性能各向同性等特点。3C- SiC纯度：SiC≥99%。堆积密度：1.3～2.0g/cm<sup>3</sup>。 产品规格：0.5μm～40μm，可根据用户需求定制。
所属分类：
立方SiC导热吸波粉
关键词：
导热
性能
材料
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3C-SiC导热吸波粉
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立方SiC导热吸波粉
SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性，是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中，SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位，SiC器件可在高温下长时间稳定工作，促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比。
三代半导体材料的热学性能对比表
特征参数 | 第三代 | 第二代 | 第一代 | ||
材料类型 | SiC | GaN | GaAs | InP | Si |
热导率/(W.m-1·K-1) | 490 | 130 | 46 | 80 | 150 |
熔点/℃ | 2830 | 1700 | 1238 | 1070 | 1410 |
工作温度/℃ | ＞500 | ＞500 | 350 | 300 | 250 |
博尔公司凭借30年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备，快速进入热管理材料领域，并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品，特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用，使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体。
博尔立方碳化硅（BESC）导热吸波粉优势如下：
1）棱角钝化，形貌规整，填充性能好、稳定性好、易于形成更多的导热通道。
2）比表面积小，吸油值低、流动性好。
3）粒度分布窄，颗粒集中度比国标至少提高10%以上。
4）堆积密度高，最高可达2.2g/cm3。
5）纯度高，SiC纯度可达4N~5N～6N。
6）吸波性能良好、介电性能可调。
7）性价比高，可用于6-8W及以上的导热产品。
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