纳米SiC导热吸波粉

立方SiC导热吸波粉

        SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性，是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中，SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位，SiC器件可在高温下长时间稳定工作，促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比。

三代半导体材料的热学性能对比表

   博尔公司凭借30年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备，快速进入热管理材料领域，并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品，特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用，使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体。

博尔立方碳化硅（BESC）导热吸波粉优势如下：

1）棱角钝化，形貌规整，填充性能好、稳定性好、易于形成更多的导热通道。

2）比表面积小，吸油值低、流动性好。

3）粒度分布窄，颗粒集中度比国标至少提高10%以上。

4）堆积密度高，最高可达2.2g/cm³。

5）纯度高，SiC纯度可达4N~5N～6N。

6）吸波性能良好、介电性能可调。

7）性价比高，可用于6-8W及以上的导热产品。