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纳米SiC导热吸波粉

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纳米SiC导热吸波粉

纳米SiC导热吸波粉采用公司自主专利技术生产的β-SiC新型微粉和碳化硅磨介磨制而成,具有纳米粒度分布窄、纯度高、堆积密度高、绝缘性能好等优点。经过表面改性和造粒制成的纳米SiC造粒粉,具有密度大、球度一致性好、填充性能好、导热系数高等优点。造粒粉粒度范围为10μm~120μm,可根据用户需求定制;流动性指数可达94,休止角达20º。
产品规格:30μm~100μm,可根据用户需求定制。
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产品描述

立方SiC导热吸波粉

        SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性,是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中,SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位,SiC器件可在高温下长时间稳定工作,促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比。

三代半导体材料的热学性能对比表

特征参数

第三代

第二代

第一代

材料类型

SiC

GaN

GaAs

InP

Si

热导率/(W.m-1·K-1)

490

130

46

80

150

熔点/

2830

1700

1238

1070

1410

工作温度/

500

500

350

300

250

   博尔公司凭借30年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备,快速进入热管理材料领域,并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品,特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用,使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体。

     

 

博尔立方碳化硅(BESC)导热吸波粉优势如下:

1棱角钝化,形貌规整,填充性能好、稳定性好、易于形成更多的导热通道。

2比表面积小,吸油值低、流动性好。

3粒度分布窄,颗粒集中度比国标至少提高10%以上。

4堆积密度高,最高可达2.2g/cm3

5纯度高,SiC纯度可达4N~5N6N

6吸波性能良好、介电性能可调。

7性价比高,可用于6-8W及以上的导热产品。

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发布时间:2019-04-29 00:00:00
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