
纳米SiC导热吸波粉
纳米SiC导热吸波粉
产品规格:30μm~100μm,可根据用户需求定制。
立方SiC导热吸波粉
SiC具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、高导热、抗氧化性以及高强度、低密度、介电性能可设计等优异特性,是极具应用潜力的导热吸波型材料。在半导体材料中,SiC的高导热系数奠定了其在第三代半导体材料中的主导地位,SiC器件可在高温下长时间稳定工作,促进了其在新一代芯片技术和导热散热技术领域的推广应用。下表列出了三代半导体材料的热学性能对比。
三代半导体材料的热学性能对比表
特征参数 |
第三代 |
第二代 |
第一代 |
||
材料类型 |
SiC |
GaN |
GaAs |
InP |
Si |
热导率/(W.m-1·K-1) |
490 |
130 |
46 |
80 |
150 |
熔点/℃ |
2830 |
1700 |
1238 |
1070 |
1410 |
工作温度/℃ |
>500 |
>500 |
350 |
300 |
250 |
博尔公司凭借30年在碳化硅粉体合成、分级、整形、纯化、热压与无压浸渗、高导热陶瓷制造等方面的技术储备,快速进入热管理材料领域,并逐步开发了3C-SiC导热吸波粉、纳米SiC导热吸波粉等系列产品,特别适合于对导热、吸波及绝缘等指标有特殊要求的产品。已在国内多家大型导热、吸波、屏蔽企业完成产品应用,使用效果优于日本、德国和美国等进口粉体。
博尔立方碳化硅(BESC)导热吸波粉优势如下:
1)棱角钝化,形貌规整,填充性能好、稳定性好、易于形成更多的导热通道。
2)比表面积小,吸油值低、流动性好。
3)粒度分布窄,颗粒集中度比国标至少提高10%以上。
4)堆积密度高,最高可达2.2g/cm3。
5)纯度高,SiC纯度可达4N~5N~6N。
6)吸波性能良好、介电性能可调。
7)性价比高,可用于6-8W及以上的导热产品。
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