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3C-SiC导热吸波粉具有晶型完整、导热系数高，吸波性能好，电子迁移率、击穿电场强度、相对介电常数等电学性能各向同性等特点。3C- SiC纯度：SiC≥99%。堆积密度：1.3～2.0g/cm<sup>3</sup>。 产品规格：0.5μm～40μm，可根据用户需求定制。
纳米SiC导热吸波粉具有纳米粒度分布窄、纯度高、堆积密度高、绝缘性能好等优点。经过表面改性和造粒制成的纳米SiC造粒粉，具有密度大、球度一致性好、填充性能好、导热系数高等优点。造粒粉粒度范围为10μm～120μm，可根据用户需求定制；流动性指数可达94，休止角达20º。<br/> 产品规格：30μm～100μm，可根据用户需求定制。
由高纯度(99.99%~99.9999%)、精细(0~0.1μm)微粉和粒度为50~800μm的单晶β-SiC做母源，经气相沉积法可制造各种单晶碳化硅，其优异的导电、导热、耐磨、耐高温、耐腐蚀性使其在军工、航天、航空、电子行业等高尖端领域用来替代电子级单晶硅和多晶硅，成为当前高科技领域公认的第三代半导体材料和LED等应用的电子封装、基板材料。
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